未分类 FQB32N12V2TM
产品介绍包装清单
商品名称:FQB32N12V2TM | 商品类别:未分类 | 商品型号:FQB32N12V2TM |
商品编号:DGG-195264 | 封装规格:D²PAK(TO-263AB) | 商品毛重:0.000001KG |
属性 | 参考值 |
---|---|
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 120V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 32A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 50 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 53nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1860pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 3.75W(Ta),150W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D²PAK(TO-263AB) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
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